کد خبر: ۷۳۲۱۸۴
تاریخ انتشار:
از سال آینده اتفاق می افتد

سامسونگ از سال ۲۰۲۲ تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را با فرآیند 3GAE کلید می‌زند

سامسونگ از سال آینده میلادی حجم تولید تراشه‌های ۳ نانومتری خود را با استفاده از فرآیند تولید ۳GAE افزایش می‌دهد.

گروه IT: سامسونگ از سال آینده میلادی حجم تولید تراشه‌های ۳ نانومتری خود را با استفاده از فرآیند تولید ۳GAE افزایش می‌دهد. با وجودی که انتظار می‌رفت کره‌ای‌ها خیلی زودتر فرآیند جدید ساخت را جایگزین کنند، اما با این راهکار با تاخیر حدود یکساله محقق می‌شود.

سامسونگ از سال ۲۰۲۲ تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را با فرآیند 3GAE کلید می‌زند

به گزارش بولتن نیوز به نقل از دیجیاتو، در بین شرکت‌های مستقل تولیدکننده تراشه، سامسونگ بعد از TSMC، دومین کارخانه بزرگ تولید چیپ در جهان را مدیریت می‌کند. اما ظاهرا کره‌ای‌ها قصد دارند پا را فراتر گذاشته و با ایجاد تغیبر در فرآیند ساخت، حجم تولید تراشه‌های ۳ نانومتری خود را برای اوایل سال ۲۰۲۲ افزایش دهند.

پیشتر در نقشه راه سامسونگ به این موضوع اشاره شده بود که فرآیند تولید موسوم به ۳GAE تنها برای مصارف داخلی مورد استفاده قرار می‌گیرد، اما کره‌ای این مورد را نیز از نقشه راه خود حذف کرده‌اند. یکی از نمایندگان سامسونگ می‌گوید:

«درباره فرآیند تولید ۳GAE، با برخی مشتریان مذاکره کردیم. انتظار می‌رود در سال ۲۰۲۲ تولید انبوه تراشه با فرآیند ۳GAE به مرحله اجرا و بهره‌برداری برسد.»

سامسونگ از سال ۲۰۲۲ تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را با فرآیند 3GAE کلید می‌زند
همچنین با توجه به مستندات مربوطه به نظر می‌رسید فرآیند تولید تراشه ۳GAP نیز که جایگزین ۳GAE خواهد شد، از سال ۲۰۲۳ به بهره‌برداری برسد که در نقشه راه سامسونگ به این موضوع اشاره شده است.

نقشه راه مذکور در «Foundry Forum 2021» در چین رونمایی شد. سامسونگ ابتدا نقشه راه مربوط به بخش تولید چیپست را به‌روز کرد و سپس آن را در شبکه‌های اجتماعی ویبو و بایدو به اشتراک گذاشت.

سامسونگ برای تولید تراشه‌های قدیمی‌تر با معماری ترانزیستور FinFET نیز ۵LPP و ۴LPP را به ترتیب برای تولید ۲۰۲۱ و ۲۰۲۲ به نقشه راه خود اضافه کرده است. سامسونگ در ماه مه ۲۰۱۹، فرآیند تولید نودهای ۳ نانومتری مبتنی بر روش تولید ۳GAE و ۳GAP را معرفی کرد و در همان مقطع زمانی کره‌ای‌ها ادعا می‌کردند که این فرآیند تولید به افزایش عملکرد ۳۵ درصدی و کاهش ۵۰ درصدی مصرف انرژی در مقایسه با فرآیند ساخت ۷LPP منجر می‌شود.

سامسونگ در سال ۲۰۱۹ و در زمان معرفی فرآیند تولید تراشه‌های ۳ نانومتری اعلام کرد که تولید تراشه با این نودها را از اواخر سال ۲۰۲۱ آغاز می‌کند و در سال ۲۰۲۲ نیز فرآیند جدیدتر را جایگزین می‌کند. اما ظاهرا محاسبات زمانی سامسونگ درست از آب در نیامد و موضوع با تاخیر یک ساله روبرو شد. اگرچه چنین تاخیری یک معضل بزرگ محسوب نمی‌شود ولی کره‌ای‌ها اکنون زمان بهره‌برداری از فرآیند جدید را اعلام کرده‌اند.

باید دید سامسونگ در این مسیر با چه چالش‌هایی روبرو خواهد بود و آیا همه چیز طبق روال پیش خواهد رفت یا کره‌ای‌ها با مشکلات دیگری روبرو خواهند شد. همچنین باید دید آیا ممکن است کره‌ای‌ها مجبور شوند اصلاحات و تغییراتی هرچند جزئی در فرآیند تولید درنظر بگیرند یا خیر.

برای مشاهده مطالب IT ما را در کانال بولتن IT دنبال کنیدbultanit@

منبع: دیجیاتو

شما می توانید مطالب و تصاویر خود را به آدرس زیر ارسال فرمایید.

bultannews@gmail.com

نظر شما

آخرین اخبار

پربازدید ها

پربحث ترین عناوین