سامسونگ از فناوری 14 نانومتری FinFET برای سنسور عکس 144 مگاپیکسلی خود رونمایی کرد

گروه IT: معمولا وقتی در مورد «نانومتر صحبت می‌کنیم» مربوط به جدیدترین تراشه‌ها است. با این حال تیم سامسونگ در کنفرانس IEDM 2019 یک فناوری امیدوارکننده در مورد سنسور عکس 144 مگاپیکسلی بر پایه‌ی فرآیند 14 نانومتری FinFET را معرفی کرده است. چالش اصلی این است که سنسورهای تصویر باید با ولتاژ نسبتا زیادی (2 ولت و بالاتر) کار کنند و تمام طراحان تراشه‌ها به دلیل کاهش مصرف برق و گرما٬ همیشه کمترین ولتاژ ممکن را مد نظر قرار می‌دهند.




به گزارش بولتن نیوز به نقل از گجت نیوز، به نقل از محققان شرکت سامسونگ٬ فناوری 14 نانومتری FinFET اجازه‌ی افزایش 42 درصدی در بهره‌وری انرژی یک سنسور 144 مگاپیکسلی را می‌دهد٬ در حالی که می‌تواند عکس‌هایی با نرخ 10 فریم بر ثانیه را ثبت کند. به طور مثال برای فیلمبرداری 12 مگاپیکسلی با نرخ 30 تا 120 فریم بر ثانیه‌ای٬ تا 37 درصد انرژی ذخیره خواهد شد.

 

توجه داشته بشید که این معرفی هیچ ارتباطی با اندازه پیکسل‌ها ندارد٬ در عوض 14 نانومتر به ترانزیستورهایی اطلاق می‌شود که سیگنال حاصل از پیکسل‌ها به همراه سایر سخت افزارهای پردازش آنالوگ و دیجیتالی درون سنسور تصویر را تقویت می‌کند.