برنامه های سامسونگ برای تولید چیپست های قدرتمند ۳ نانومتری

به گزارش بولتن نیوز، برنامه های این شرکت شامل دستیابی به فناوری های هفت نانومتری LPP، پنج نانومتری LPE، چهار نانومتری LPE/LPP و سه نانومتری GAAE/GAAP است و در کنار آن توسعه ابزارهای متصل با توان محاسباتی بالا نیز در دستور کار قرار دارد.

7LPP نخستین فناوری ساخت نیمه هادی مبتنی بر لیتوگرافی EUV سامسونگ است که در سال جاری میلادی به تولید انبوه رسیده و با توسعه IPهای آن در اوایل ۲۰۱۹ از راه خواهد رسید. پس از آن نوبت به فناوری 5LPE می رسد که در کنار کاهش مصرف انرژی، امکان پیشرفت هرچه بیشتر را فراهم خواهد کرد.

به گفته سامسونگ فرایند فناوری FinFET در فرایند ۴ نانومتری نیز مورد استفاده قرار خواهد گرفت و به عنوان جدیدترین نسل این خانواده مهاجرت از چیپست های ۵ نانومتری را تسهیل کرده و سرعت بالاتر و کاهش مصرف انرژی را به ارمغان می آورد. تولید این دو سری در سال های ۲۰۱۹ و ۲۰۲۰ کلید خواهد خورد.

 

این کمپانی فرایند ۳ نانومتری با بهره گیری از GAA را نیز معرفی کرده که نسل بعدی معماری محسوب می شود. مهندسان کره ای برای غلبه بر محدودیت های کارایی و مقیاس فیزیکی معماری FinFET، فناوری GAA خود به نام MBCFET را معرفی کرده اند که به لطف کنترل گیت کارایی آنها تا حد زیادی بهبود پیدا خواهد کرد.

این شرکت راه حل های خود برای بهینه سازی دیتاسنترهای بزرگ و کمک به رشد هرچه بیشتر هوش مصنوعی (AI) و قابلیت های یادگیری ماشینی را نیز معرفی کرده که در قالب یک پلتفرم کلی توان محاسباتی را به شکل چشمگیری بهبود خواهد بخشید.

رقابت میان کمپانی های تولید چیپ از قبیل کوالکام، مدیاتک و TSMC برای تولید چیپ های کوچکتر و در عین حال قدرتمندتر رو به افزایش است و اخیرا منابع مطلع از تولید چیپست ۷ نانومتری A12 برای آیفون توسط TSMC خبر داده اند.